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一、简介

外加电场能够引起光学介质材料的折射率分布发生变化，从而导致其光学性质发生改变的系列效应称为电光效应。其中，晶体折射率的改变正比于电场强度的效应称为线性电光效应，由泡克耳斯（Pokels）于1893年发现，故亦称泡克耳斯效应；而克尔（Kerr）发现的由电场二次项引起介质折射率的变化称为二次电光效应（或克尔效应）。通常一次效应比二次效应显著得多。电光效应具有对介质光学性质良好的调制特性和极快的响应速度，所以利用电光效应制成的电光器件在光通信、光学信息处理、高速摄影、激光测距等许多方面具有广泛的应用。

对电光效应相关知识的了解和掌握是高等院校物理、电子和通信类专业重要的学习内容。本公司精心研制的晶体电光效应实验仪能够直观地反映电光效应的特点，方便地测试电光效应的规律，其外观设计大方，实验内容丰富，性能稳定可靠，教学方便实用。

二、主要实验内容

1、研究铌酸锂晶体的横向电光效应，测量LN晶体的半波电压。

2、观测电光调制器的工作性质。

3、利用电光调制进行音频信号的激光传输和通信。

三、仪器主要组成及技术参数

1.电光晶体：LiNbO3 3mm´3mm´25mm；

2.半导体激光器：波长635nm，功率³5mW（可应需求换作氦氖激光器）；

3.直流电压输出：0－600V连续可调，数显；

4.内置正弦波信号输出：0－80V连续可调，400Hz；

5.内置功率放大器：电压放大倍数30倍， 频率响应20Hz-20KHz；

6.光功率测量范围 ：0－20mW；

7.偏振片，l/4波片角度调节：360°刻度，分度值为1°；

8.导轨：优质铝型材；

9. LN晶体支架：四维精密光学调节架；

10.PC接口及软件